作者:标准资料网 时间:2024-05-15 10:09:04   浏览:9240   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Semiconductordevices-Discretdevices.Part8:Field-effecttransistors.Blankdetailspecificationforsingle-gatefield-effecttransistors,upto5Wand1GHz.
【原文标准名称】:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第1节:5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
【标准号】:IEC60747-8-1-1987
【标准状态】:作废
【国别】:国际
【发布日期】:1987
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际电工委员会(IEC)
【起草单位】:IEC/TC47
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电气工程;测量;集成电路;电子工程;电子设备及元件;作标记;规范(批准);详细规范;检验;半导体器件;晶体管;场效应晶体管;半导体
【英文主题词】:
【摘要】:Applicabletoqualityassessmentforfield-effecttransistors.Givesspecificrequirements(includedinQC750112oftheIECQsystem),representstheblankdetailspecificationforsingle-gatefield-effecttransistorsupto5Wand1GHz.
【中国标准分类号】:L44
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:17P;A4
【正文语种】:英语